- Code commande RS:
- 171-3661
- Référence fabricant:
- TSM70N900CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 171-3661
- Référence fabricant:
- TSM70N900CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le Taiwan Semiconductor 700 V, 4. Le transistor MOSFET de puissance à canal N 5 A, 900 mΩ, 3 broches est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration. Il est généralement utilisé dans les applications d'alimentation et d'éclairage.
Technologie Super-Junction
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 50 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Performances élevées grâce à un petit facteur de mérite
Performances de robustesse élevées
Performances de commutation élevées
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 50 W.
Plage de tension de seuil de porte entre 2 V et 4 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 4,5 A |
Tension Drain Source maximum | 700 V |
Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 900 mΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4V |
Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
Dissipation de puissance maximum | 50 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | ±30 V |
Charge de Grille type @ Vgs | 9,7 nC @ 10 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 6.5mm |
Largeur | 5.8mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Tension directe de la diode | 1.4V |
Hauteur | 2.3mm |