MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, DPAK (TO-252) 1,85 A 1000 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 171-3619
- Référence fabricant:
- TSM2N100CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
En cours d'approvisionnement
Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
1,029 €
HT
1,235 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 2500 + | 1,029 € | 2 572,50 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 171-3619
- Référence fabricant:
- TSM2N100CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Taiwan Semiconductor 1 000 V, 1. 85 A, 8. Le transistor MOSFET de puissance à canal N 5 Ω, 3 broches est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration. Il est généralement utilisé dans les applications d'éclairage à LED c.a./c.c., d'alimentation et de compteur d'alimentation.
Testé à 100 % en avalanche
Processus planaire Advanced
Conforme à la directive RoHS 2011/65/UE et conformément à la directive WEEE 2002/96/CE
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 77 W.
La tension de seuil de grille varie entre 3,5 V et 5,5 V.
Processus planaire Advanced
Conforme à la directive RoHS 2011/65/UE et conformément à la directive WEEE 2002/96/CE
Sans halogène conformément à la norme CEI 61249-2-21
Plage de températures d'utilisation de -55 à +150 °C.
Dissipation de puissance max. de 77 W.
La tension de seuil de grille varie entre 3,5 V et 5,5 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 1,85 A |
| Tension Drain Source maximum | 1000 V |
| Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 8,5 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 5.5V |
| Tension de seuil minimale de la grille | 3.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 77 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | ±30 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 6.6mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Largeur | 6.1mm |
| Tension directe de la diode | 1.4V |
| Hauteur | 2.3mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |