- Code commande RS:
- 171-3659
- Référence fabricant:
- TSM090N03CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
25 - 50 | 0,311 € | 7,775 € |
75 - 125 | 0,269 € | 6,725 € |
150 - 475 | 0,235 € | 5,875 € |
500 + | 0,214 € | 5,35 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 171-3659
- Référence fabricant:
- TSM090N03CP ROG
- Marque:
- Taiwan Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le transistor MOSFET de puissance canal N 30 V, 55 A, 3 broches à languette de Taiwan Semiconductor est doté d'une configuration à transistor simple et d'un mode de canal d'amélioration.
Conforme à la directive RoHS
Température d'utilisation maximale de 150 °C.
Dissipation de puissance max. de 40 W.
La tension de seuil de grille varie entre 1 V et 2,5 V.
Température d'utilisation maximale de 150 °C.
Dissipation de puissance max. de 40 W.
La tension de seuil de grille varie entre 1 V et 2,5 V.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 55 A |
Tension Drain Source maximum | 30 V |
Type de boîtier | DPAK (TO-252) |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 13 MΩ |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 2.5V |
Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
Dissipation de puissance maximum | 40 W |
Configuration du transistor | Simple |
Tension Grille Source maximum | ±20 V |
Charge de Grille type @ Vgs | 7,5 nC @ 4,5 V |
Longueur | 6.5mm |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Largeur | 5.8mm |
Tension directe de la diode | 1V |
Hauteur | 2.3mm |