MOSFET ROHM canal P, TSMT-3 4 A 12 Mo, 3 broches

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Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4 A
Tension Drain Source maximum	12 Mo
Série	RQ5A040ZP
Type de boîtier	TSMT-3
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	110 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Tension de seuil minimale de la grille	0.3V
Dissipation de puissance maximum	1 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	±10 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Largeur	1.8mm
Charge de Grille type @ Vgs	30 nC @ 4,5
Longueur	3mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Hauteur	0.95mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Tension directe de la diode	1.2V

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