MOSFET canal N Vishay 600 mA 200 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD

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Code commande RS:
178-0916
Référence fabricant:
IRFD210PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

600mA

Tension Drain Source maximum Vds

200V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRFD

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

2V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.2nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

6.29mm

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 200 à 250 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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