MOSFET canal Type P Vishay 700 mA 100 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD Non

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Code commande RS:
178-0920
Référence fabricant:
IRFD9110PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

700mA

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRFD

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

1.2Ω

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

8.7nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

-5.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Longueur

5mm

Largeur

6.29mm

Hauteur

3.37mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal P, 100 à 400 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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