MOSFET 1 canal N Simple Vishay 1.3 A 100 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP

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Code commande RS:
178-0923
Référence fabricant:
IRLD120PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.3A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HVMDIP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

270mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10, -10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Simple

Longueur

5mm

Largeur

6.29mm

Hauteur

3.37mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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