MOSFET 1 canal N Simple Vishay 1 A 100 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRLD Non

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Code commande RS:
301-338
Référence fabricant:
IRLD110PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRLD

Type de montage

Traversant, Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

540mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.1nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

2.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Simple

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Largeur

6.29mm

Normes/homologations

No

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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