MOSFET 1 canal N Simple Vishay 1 A 100 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRLD Non

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
Code commande RS:
178-0913
Référence fabricant:
IRLD110PBF
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

IRLD

Type de Boitier

HVMDIP

Type de montage

Traversant, Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

540mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

6.1nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

2.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Configuration du transistor

Simple

Normes/homologations

No

Largeur

6.29mm

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET à canal N, 100 à 150 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.