MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 178-0917
- Référence fabricant:
- IRFD9120PBF
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en tube de 100)
1,136 €
HT
1,363 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 100 - 100 | 1,136 € | 113,60 € |
| 200 - 400 | 1,067 € | 106,70 € |
| 500 + | 0,965 € | 96,50 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 178-0917
- Référence fabricant:
- IRFD9120PBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'état passant et de rentabilité. Le boîtier DIP 4 broches est un boîtier insérable par machine à faible coût qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur les centres de broches 0,1" standard.
Puissance nominale dV/dt dynamique
Résistance aux avalanches répétitives
Résistance aux avalanches répétitives
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 1 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | HVMDIP |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 4 |
| Résistance Drain Source maximum | 600 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,3 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Largeur | 6.29mm |
| Longueur | 5mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Hauteur | 3.37mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |