MOSFET 1 canal Type P Simple Vishay 1 A 100 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP

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Code commande RS:
178-0917
Référence fabricant:
IRFD9120PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

1A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

HVMDIP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

600mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V, -20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Configuration du transistor

Simple

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.29mm

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Nombre d'éléments par circuit

1

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay offrent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier DIP à 4 broches est un boîtier à insertion automatique économique qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres de broches standard de 0,1 pouce.

Valeur nominale dynamique dV/dt

Indice de protection contre les avalanches répétitives

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