MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches

Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'état passant et de rentabilité. Le boîtier DIP 4 broches est un boîtier insérable par machine à faible coût qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur les centres de broches 0,1" standard.

Puissance nominale dV/dt dynamique
Résistance aux avalanches répétitives

Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor