MOSFET Vishay canal P, HVMDIP 1 A 100 V

Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier DIP à 4 broches est un boîtier à insertion automatique économique qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres à broches 0,1 standard.

Valeur nominale dv/dt dynamique
Résistant aux avalanches répétitives
Pour insertion automatique
Extrémité empilable
Canal P
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide