MOSFET de puissance P Vishay 1.6 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD9020
- Code commande RS:
- 903-4706
- Référence fabricant:
- IRFD9020PBF
- Marque:
- Vishay
- Code commande RS:
- 903-4706
- Référence fabricant:
- IRFD9020PBF
- Marque:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET de puissance | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1.6A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | HVMDIP | |
| Série | IRFD9020 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.28Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 19nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | -6.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.29mm | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC | |
| Largeur | 5mm | |
| Hauteur | 3.37mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET de puissance | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1.6A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier HVMDIP | ||
Série IRFD9020 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.28Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 19nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf -6.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.29mm | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC | ||
Largeur 5mm | ||
Hauteur 3.37mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- PH
Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
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