MOSFET de puissance P Vishay 1.6 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD9020

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Code commande RS:
903-4706
Référence fabricant:
IRFD9020PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET de puissance

Courant continu de Drain maximum Id

1.6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRFD9020

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.28Ω

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

-6.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

6.29mm

Normes/homologations

RoHS 2002/95/EC

Largeur

5mm

Hauteur

3.37mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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