MOSFET de puissance P Vishay 1.6 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD9020

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Code commande RS:
145-1912
Référence fabricant:
IRFD9020PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

1.6A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRFD9020

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

0.28Ω

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

-6.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

19nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS 2002/95/EC

Longueur

6.29mm

Hauteur

3.37mm

Largeur

5mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
PH

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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