MOSFET P Vishay 1.1 A 50 V, 3 broches, HVMDIP

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Code commande RS:
256-7283
Référence fabricant:
IRFD9010PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

1.1A

Tension Drain Source maximum Vds

50V

Type de Boitier

HVMDIP

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5Ω

Charge de porte typique Qg @ Vgs

11nC

Dissipation de puissance maximum Pd

1W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Les HVMDIP Mosfet à canal P de Vishay Semiconductor sont destinés à être utilisés dans les étapes de puissance où la symétrie complémentaire avec les dispositifs à canal n offre une simplification du circuit. La géométrie efficace et le traitement unique de la conception HVMDIP permettent d'atteindre une très faible résistance à l'état passant combinée à une transconductivité élevée et une robustesse extrême du dispositif.

Pour insertion automatique

Compact, empilable à l'extrémité

Commutation rapide

Faible courant d'entraînement

Parallèle facile

Excellente stabilité de température

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