MOSFET P Vishay 1 A 100 V, 4 broches, HVMDIP IRFD9120
- Code commande RS:
- 256-7285
- Référence fabricant:
- IRFD9120PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 256-7285
- Référence fabricant:
- IRFD9120PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 1A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | HVMDIP | |
| Série | IRFD9120 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5Ω | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 0.33pouce | |
| Longueur | 0.29pouce | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 0.425pouce | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 1A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier HVMDIP | ||
Série IRFD9120 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5Ω | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 0.33pouce | ||
Longueur 0.29pouce | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 0.425pouce | ||
Standard automobile Non | ||
Le MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay Semiconductor fournit au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à la mise sous tension et de rentabilité. Le boîtier DIP à 4 broches est un boîtier à insertion automatique économique qui peut être empilé en plusieurs combinaisons sur des centres à broches 0,1 standard.
Valeur nominale dv/dt dynamique
Résistant aux avalanches répétitives
Pour insertion automatique
Extrémité empilable
Canal P
Température d'utilisation : 175 °C
Commutation rapide
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 1 A 100 V HVMDIP IRFD9120
- MOSFET 1 canal Type P Simple Vishay 1 A 100 V Enrichissement HVMDIP
- MOSFET canal Type P Vishay 700 mA 100 V Enrichissement HVMDIP IRFD Non
- MOSFET P Vishay 1.1 A 60 V Enrichissement HVMDIP IRFD9014
- MOSFET P Vishay 1.6 A 60 V Enrichissement HVMDIP IRFD9024
- MOSFET de puissance P Vishay 1.6 A 60 V Enrichissement HVMDIP IRFD9020
- MOSFET N Vishay 1 A 100 V Enrichissement HVMDIP IRFD
- MOSFET N Vishay 1.3 A 100 V Enrichissement HVMDIP IRFD