MOSFET P Vishay 1.1 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRFD9014

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Code commande RS:
178-0919
Référence fabricant:
IRFD9014PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type P

Courant continu de Drain maximum Id

1.1A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

IRFD9014

Type de Boitier

HVMDIP

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

500mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

12nC

Tension directe Vf

-5.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Largeur

6.29mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal P, de 30 à 80 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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