MOSFET canal N Vishay 2.5 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRLD

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Code commande RS:
178-0918
Référence fabricant:
IRLD024PBF
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

2.5A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

HVMDIP

Série

IRLD

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

100mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

1.3W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

18nC

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

-10V, +10V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Largeur

6.29mm

Longueur

5mm

Hauteur

3.37mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor


Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor


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