MOSFET canal N Vishay 2.5 A 60 V Enrichissement, 4 broches, HVMDIP IRLD
- Code commande RS:
- 178-0918
- Référence fabricant:
- IRLD024PBF
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 178-0918
- Référence fabricant:
- IRLD024PBF
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 2.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | IRLD | |
| Type de Boitier | HVMDIP | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 100mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.3W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 18nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 3.37mm | |
| Largeur | 6.29mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 2.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série IRLD | ||
Type de Boitier HVMDIP | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 100mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.3W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 18nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 3.37mm | ||
Largeur 6.29mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET canal N, de 60 à 90 V, Vishay Semiconductor
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