MOSFET N Vishay Siliconix 60 A 40 V Enrichissement, 8 broches, PowerPAK 1212 TrenchFET

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Code commande RS:
178-3920P
Référence fabricant:
SiSS12DN-T1-GE3
Marque:
Vishay Siliconix
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Marque

Vishay Siliconix

Type de canal

Type N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

60A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

PowerPAK 1212

Série

TrenchFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

2mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

59nC

Tension directe Vf

1.1V

Dissipation de puissance maximum Pd

65.7W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

3.15mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.07mm

Standard automobile

Non

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET® Gen IV

Très faible RDS(on) dans un boîtier compact et à rendement thermique amélioré

Le rapport Qg, Qgd et Qgd/Qgs optimisé réduit la perte de puissance liée à la commutation

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