MOSFET onsemi canal N, PQFN 5 x 6 67 A 120 V, 8 broches

Ce transistor MOSFET MV à canal N est produit à l'aide du procédé PowerTrench® avancé, qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.

Technologie MOSFET à grille blindée
RDS(ON) max. = 4 mΩ à VGS = 10 V, ID = 67 A
RDS(ON) max. = 8 mΩ à VGS = 6 V, ID = 33 A
Qrr 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Bruit de commutation/IEM plus faible
Conception de boîtier robuste MSL1


Applications :
Ce produit est pour un usage général et adapté à de nombreuses applications différentes.
Produits finis :
Alimentations c.a.-c.c. et c.c.-c.c.