MOSFET canal N onsemi 110 A 100 V N, 8 broches, PQFN NTMFS
- Code commande RS:
- 229-6473
- Référence fabricant:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 229-6473
- Référence fabricant:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | NTMFS | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.6mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 92nC | |
| Tension directe Vf | 840mV | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Hauteur | 6mm | |
| Largeur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série NTMFS | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.6mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 92nC | ||
Tension directe Vf 840mV | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 5mm | ||
Hauteur 6mm | ||
Largeur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET à canal N est produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.
Minimise les pertes de conduction
Capacité de courant ISU Peak élevée pour la robustesse
Ne contient pas d'halogène
Sans plomb
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N onsemi 110 A 100 V N PQFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 235 A 60 V Enrichissement PQFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 31 A 150 V Enrichissement PQFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 116 A 100 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 131 A 100 V N DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 54 A 100 V Enrichissement DFN NTMFS
- MOSFET canal N onsemi 124 A 100 V Enrichissement PQFN FDMS86181
- MOSFET canal N onsemi 51 A 100 V Enrichissement PQFN PowerTrench