MOSFET canal N onsemi 131 A 100 V N, 5 broches, DFN NTMFS

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Code commande RS:
205-2455
Référence fabricant:
NTMFS3D6N10MCLT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

131A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

NTMFS

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

3.6mΩ

Mode de canal

N

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

136W

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

60nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

5mm

Hauteur

900μm

Longueur

6mm

Standard automobile

Non

On Semiconductor Power MOSFET à canal N unique est doté d'une tension nominale de drain à source de 100 V et d'une intensité nominale de drain continu de 131 A. Ces dispositifs sont sans plomb, sans halogène/sans BFR et sont conformes à la directive RoHS.

La résistance de drain à source est de 3,6 mohm

Faible RDS(on) pour minimiser les pertes de conduction

Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver

Redresseur synchrone en c.c.-c.c. et c.a.-c.c.

Encombrement réduit (5 x 6 mm) pour une conception compacte

Entraînement de moteur

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