MOSFET canal N onsemi 235 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PQFN NTMFS
- Code commande RS:
- 195-8747
- Référence fabricant:
- NTMFSC1D6N06CL
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 195-8747
- Référence fabricant:
- NTMFSC1D6N06CL
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 235A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | NTMFS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.3mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 91nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 166W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 950μm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 235A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série NTMFS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.3mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 91nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 166W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 950μm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET à canal N est produit à l'aide du processus Advanced Power Trench ® d'ON Semiconductor. Les progrès dans les technologies de boîtier Silicon et Dual Cool ont été combinés pour offrir le plus faible RDS(on) tout en maintenant d'excellentes performances de commutation grâce à une très faible résistance thermique de jonction à température ambiante.
Top et bas exposés dans des broches standard de 5 x 6 mm
Meilleure dissipation thermique par le Top et le Bas du boîtier
Très faible RDS(on)
Réduction de la perte de conduction
Capacités et inductance de boîtier réduites
Perte de commutation réduite
Applications
Redresseur synchrone dans les alimentations c.a.-c.c. et c.c.-c.c.
Commutateur de moteur
Commutateur de charge
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