MOSFET onsemi canal N, DFN8 5 x 6 235 A 60 V, 8 broches

Ce transistor MOSFET à canal N est produit à l'aide du processus Advanced Power Trench ® d'ON Semiconductor. Les progrès dans les technologies de boîtier Silicon et Dual Cool ont été combinés pour offrir le plus faible RDS(on) tout en maintenant d'excellentes performances de commutation grâce à une très faible résistance thermique de jonction à température ambiante.

Top et bas exposés dans des broches standard de 5 x 6 mm
Meilleure dissipation thermique par le Top et le Bas du boîtier
Très faible RDS(on)
Réduction de la perte de conduction
Capacités et inductance de boîtier réduites
Perte de commutation réduite
Applications
Redresseur synchrone dans les alimentations c.a.-c.c. et c.c.-c.c.
Commutateur de moteur
Commutateur de charge