MOSFET canal N onsemi 110 A 100 V N, 8 broches, PQFN NTMFS
- Code commande RS:
- 229-6472
- Référence fabricant:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 229-6472
- Référence fabricant:
- NTMFS7D8N10GTWG
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 110A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | NTMFS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 7.6mΩ | |
| Mode de canal | N | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 92nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 187W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 840mV | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 1.1mm | |
| Hauteur | 6mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 110A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série NTMFS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 7.6mΩ | ||
Mode de canal N | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 92nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 187W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 840mV | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 1.1mm | ||
Hauteur 6mm | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
on Semiconductor MOSFET à canal N est produit à l'aide d'un processus Advanced Power Trench qui intègre la technologie de grille blindée. Ce procédé a été optimisé pour minimiser la résistance à l'état passant tout en maintenant d'excellentes performances de commutation avec une diode de corps progressive haut de gamme.
Minimise les pertes de conduction
Capacité de courant ISU Peak élevée pour la robustesse
Ne contient pas d'halogène
Sans plomb
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