MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 120 A 30 V

Le transistor MOSFET de puissance canal N IRFH8318TRPBF d'Infineon est optimisé pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositions sont idéaux pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et de la robustesse. Le portefeuille complet s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c. c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c. c.-c. c.

Faible résistance thermique au circuit imprimé (<1,7 °C/W)
Bas profil (<1,2 mm)
Brochage selon le standard de l'industrie
Compatible avec les techniques de montage en surface existantes
Conforme à la directive RoHS Sans plomb, sans bromure et sans halogène