MOSFET canal N Infineon 30 A 80 V Enrichissement, 4 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4746
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
1 496,00 €
HT
1 796,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 14 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,374 € | 1 496,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4746
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1.17mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1.17mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 6.15mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Faible RDSon (<1,15 mΩ)
Faible résistance thermique au circuit imprimé (<0,8 °C/W)
Testé à 100 % Rg
Bas profil (<0,9 mm)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 30 A 80 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 82 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 44 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 12.5 A 80 V PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 25 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 12 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 8.8 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET