MOSFET canal N Infineon 30 A 80 V Enrichissement, 4 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4746
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
1 496,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,374 € | 1 496,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4746
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Hauteur | 1.17mm | |
| Longueur | 5mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 6.15mm | ||
Hauteur 1.17mm | ||
Longueur 5mm | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Faible RDSon (<1,15 mΩ)
Faible résistance thermique au circuit imprimé (<0,8 °C/W)
Testé à 100 % Rg
Bas profil (<0,9 mm)
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