MOSFET canal N Infineon 7.60 A 30 V Enrichissement, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9447
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
5,05 €
HT
6,06 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 13 janvier 2027
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,505 € | 5,05 € |
| 100 - 240 | 0,48 € | 4,80 € |
| 250 - 490 | 0,43 € | 4,30 € |
| 500 - 990 | 0,304 € | 3,04 € |
| 1000 + | 0,269 € | 2,69 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9447
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 63mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4.9W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4.9W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 7,60 A - IRLHS6376TRPBF
Caractéristiques et avantages :
• Le VDS 30 V permet des applications de commutation d'alimentation basse tension
• Le courant de drain continu de 7.60 A permet une transmission de charge soutenue
• La charge de grille typique de 2,8 nC permet des performances de commutation à grande vitesse
• La dissipation de puissance de 4,9 W gère la charge thermique dans les limites
Applications
• Idéal pour les niveaux de commutation secondaires de l'alimentation
• Utilisé pour les tâches de gestion de batterie et de conversion c.c.-c.c.
• Peut être utilisé pour les télécommunications et la commutation de commande industrielle
• Adapté aux modules d'alimentation grand public à gestion thermique
Quelle tension de grille peut-elle être appliquée sans dommage?
Comment la tolérance thermique affecte-t-elle le déploiement?
Quelles sont les caractéristiques de commutation typiques pertinentes pour la conception de l'entraînement de grille?
Quel boîtier et quelle méthode de montage sont fournis pour l'intégration des circuits imprimés?
Ce dispositif est-il destiné à une utilisation dans les spécifications automobiles?
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