MOSFET et Diode canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
220-7482
Référence fabricant:
IRFH5300TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

30V

Série

HEXFET

Type de Boitier

PQFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.4mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

50nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

3.6W

Tension directe Vf

1V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

900μm

Longueur

6mm

Normes/homologations

RoHS

Largeur

4.75mm

Standard automobile

Non

Infineon IRFH5300 est une famille de transistors MOSFET à forte puissance optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Niveau logique : optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 5 V.

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