MOSFET et Diode canal N Infineon 12 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 220-7480
- Référence fabricant:
- IRFH3707TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 220-7480
- Référence fabricant:
- IRFH3707TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.8W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Largeur | 3mm | |
| Normes/homologations | Lead-Free, RoHS | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.8W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Largeur 3mm | ||
Normes/homologations Lead-Free, RoHS | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3mm | ||
Standard automobile Non | ||
La famille Infineon Strong IRFET MOSFET de puissance est optimisée pour les capacités de faible RDS(on) et de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier standard à montage en surface
Alternative potentielle au boîtier SuperSO8 haute RDS(on)
Large disponibilité des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard
Le brochage standard permet une chute de remplacement
Compacts
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