MOSFET et Diode canal N Infineon 12 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 220-7481
- Référence fabricant:
- IRFH3707TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 220-7481
- Référence fabricant:
- IRFH3707TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 12.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.8W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 1mm | |
| Longueur | 3mm | |
| Normes/homologations | Lead-Free, RoHS | |
| Largeur | 3mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 12.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.8W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 1mm | ||
Longueur 3mm | ||
Normes/homologations Lead-Free, RoHS | ||
Largeur 3mm | ||
Standard automobile Non | ||
La famille Infineon Strong IRFET MOSFET de puissance est optimisée pour les capacités de faible RDS(on) et de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier standard à montage en surface
Alternative potentielle au boîtier SuperSO8 haute RDS(on)
Large disponibilité des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard
Le brochage standard permet une chute de remplacement
Compacts
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