MOSFET et Diode canal N Infineon 8.8 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 220-7487
- Référence fabricant:
- IRFHS8342TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 220-7487
- Référence fabricant:
- IRFHS8342TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 8.8A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 2.1W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1mm | |
| Normes/homologations | Industrial Qualification, MSL1, RoHS | |
| Hauteur | 2.1mm | |
| Longueur | 2.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Courant continu de Drain maximum Id 8.8A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 2.1W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1mm | ||
Normes/homologations Industrial Qualification, MSL1, RoHS | ||
Hauteur 2.1mm | ||
Longueur 2.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon IRFHS8342 est une famille de transistors MOSFET de puissance IRFET robuste optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier d'alimentation standard à montage en surface
Faible RDS(on) dans un petit boîtier
Petit contour
Large disponibilité des partenaires de distribution
Niveau de qualification standard
Le brochage standard permet une chute de remplacement
Puissance élevée et encombrement réduit.
Facteur de forme compact pour les applications à espace critique
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