MOSFET et Diode N Infineon 100 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 220-7484
- Référence fabricant:
- IRFH5300TRPBF
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,061 € | 10,61 € |
| 100 - 240 | 1,008 € | 10,08 € |
| 250 - 490 | 0,965 € | 9,65 € |
| 500 - 990 | 0,923 € | 9,23 € |
| 1000 + | 0,859 € | 8,59 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 220-7484
- Référence fabricant:
- IRFH5300TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET et Diode | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 50nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.6W | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Hauteur | 0.9mm | |
| Longueur | 6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET et Diode | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 50nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.6W | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Hauteur 0.9mm | ||
Longueur 6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon IRFH5300 est une famille de transistors MOSFET à forte puissance optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Niveau logique : optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 5 V.
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