MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 30 V, 8 broches

Code commande RS:: 220-7484
Référence fabricant:: IRFH5300TRPBF
Marque:: Infineon

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 30 V, 8 broches

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Prix pour l'unité (par multiple de 10)

1,128 €

1,354 €

Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 90	1,128 €	11,28 €
100 - 240	1,071 €	10,71 €
250 - 490	1,027 €	10,27 €
500 - 990	0,981 €	9,81 €
1000 +	0,913 €	9,13 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 220-7484
Référence fabricant:: IRFH5300TRPBF
Marque:: Infineon

Documentation technique

Datasheet - IRFH5300TRPBF

Législation et Conformité

Détail produit

Infineon IRFH5300 est une famille de transistors MOSFET à forte puissance optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète s'adresse à une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Optimisé pour la plus grande disponibilité des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Niveau logique : optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 5 V.

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	100 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Série	HEXFET
Type de boîtier	PQFN 5 x 6
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	0,0014 O
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	20V
Nombre d'éléments par circuit	2

MOSFET Transistor & Diode Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 30 V, 8 broches

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