MOSFET canal N Infineon 30 A 80 V Enrichissement, 4 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4747
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|---|
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| 150 - 360 | 0,871 € | 13,07 € | 9,75 € |
| 375 - 735 | 0,815 € | 12,23 € | 45,38 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 222-4747
- Référence fabricant:
- IRFH8311TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 30A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 30nC | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 96W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 6.15mm | |
| Hauteur | 1.17mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 30A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 30nC | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 96W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 6.15mm | ||
Hauteur 1.17mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Faible RDSon (<1,15 mΩ)
Faible résistance thermique au circuit imprimé (<0,8 °C/W)
Testé à 100 % Rg
Bas profil (<0,9 mm)
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