MOSFET canal N Infineon 12.5 A 80 V, 6 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 217-2640
- Référence fabricant:
- IRL80HS120
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 217-2640
- Référence fabricant:
- IRL80HS120
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 12.5A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 42mΩ | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 7nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 11.5W | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 1mm | |
| Longueur | 2.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 2.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 12.5A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 42mΩ | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 7nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 11.5W | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 1mm | ||
Longueur 2.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 2.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension de source de drain maximale de 80 V, courant de drain continu maximal de 12,5 A - IRL80HS120
Ce MOSFET est un transistor de commutation compact à canal N conçu pour les applications de puissance à montage en surface où une conduction contrôlée et une résistance thermique sont requises. Il fonctionne dans une large plage de températures et est destiné à être utilisé dans des boîtiers PQFN compacts qui équilibrent la manipulation de puissance avec un faible encombrement.
Caractéristiques et avantages :
• La tension maximale drain-source de 80 V permet une capacité de commutation haute tension
• Rds(on) de 42 mΩ minimise les pertes de conduction pendant les charges lourdes
• Le courant de drain continu de 12,5 A permet une distribution de courant soutenue
• La charge de grille typique de 7 nC permet une commande efficace de l'entraînement de grille
• La dissipation de puissance maximale de 11,5 W gère les contraintes thermiques dans les configurations confinées
• La limite de source de grille de 20 V permet d'utiliser en toute sécurité les tensions de commande de grille courantes
• Rds(on) de 42 mΩ minimise les pertes de conduction pendant les charges lourdes
• Le courant de drain continu de 12,5 A permet une distribution de courant soutenue
• La charge de grille typique de 7 nC permet une commande efficace de l'entraînement de grille
• La dissipation de puissance maximale de 11,5 W gère les contraintes thermiques dans les configurations confinées
• La limite de source de grille de 20 V permet d'utiliser en toute sécurité les tensions de commande de grille courantes
Applications
• Convient aux convertisseurs c.c.-c.c. dans les alimentations compactes
• Idéal pour les étages de commande de moteur nécessitant une commutation haute tension
• Utilisé pour les circuits de gestion de batterie dans les conceptions à forte densité de puissance
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les rails d'alimentation
• Utilisé avec des systèmes thermiquement exigeants sur de larges variations de température
• Idéal pour les étages de commande de moteur nécessitant une commutation haute tension
• Utilisé pour les circuits de gestion de batterie dans les conceptions à forte densité de puissance
• Peut être utilisé pour le redressement synchrone dans les rails d'alimentation
• Utilisé avec des systèmes thermiquement exigeants sur de larges variations de température
Dans quelle plage thermique peut-il fonctionner?
Il fonctionne de -55 °C à 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements à haute température.
Combien de broches sont disponibles pour le routage des circuits imprimés?
Il est fourni dans une disposition PQFN à six broches pour simplifier le routage à montage en surface.
Qu'est-ce que la tension directe et ses implications?
La tension directe est de 1,2 V, ce qui permet de calculer les pertes et les chutes dans les chemins de conduction.
À quel type de boîtier et de type de montage les concepteurs doivent-ils s'attendre?
Le dispositif est fourni dans un boîtier PQFN destiné au montage en surface sur les circuits imprimés compacts.
Quel type de canal et quel rôle de commutation remplit-il?
Il s'agit d'un dispositif à canal N adapté aux topologies de commutation low-side ou high-side en fonction des exigences du circuit.
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