MOSFET canal N Infineon 117 A 40 V, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9385
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-530
- Référence fabricant:
- IRFH7446TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 257-9385
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-530
- Référence fabricant:
- IRFH7446TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 117A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.3mΩ | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 78W | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 65nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 900μm | |
| Longueur | 5mm | |
| Largeur | 6mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 117A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.3mΩ | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 78W | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 65nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 900μm | ||
Longueur 5mm | ||
Largeur 6mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFH d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 40 V dans un boîtier PQFN 5 x 6. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Large portefeuille disponible
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