MOSFET canal N Infineon 40 A 60 V, PQFN HEXFET

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Code commande RS:
257-9374
Référence fabricant:
IRFH5406TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

40A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

HEXFET

Type de Boitier

PQFN

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

14.4mΩ

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

46W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

150°C

Hauteur

900μm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRFH d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 60 V dans un boîtier PQFN 5 x 6. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS (marche) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse. La gamme complète couvre une large gamme d'applications, y compris les moteurs c.c., les systèmes de gestion de batterie, les inverseurs et les convertisseurs c.c.-c.c.

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente

Large portefeuille disponible

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