MOSFET et Diode canal N Infineon 25 A 30 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET

Les transistors MOSFET de puissance Infineon OptiMOS à canal N sont développés pour augmenter l'efficacité, la densité de puissance et la rentabilité. Conçus pour les applications hautes performances et optimisés pour une haute fréquence de commutation, les produits OptiMOS se convainquent par la meilleure valeur de l'industrie. La gamme de transistors MOSFET de puissance OptiMOS, désormais complétée par un transistor IRFET puissant, crée une combinaison véritablement puissante. Bénéficiez d'une parfaite correspondance de prix/performances robustes et excellents des transistors MOSFET IRFET puissants et de la technologie de pointe des MOSFET OptiMOS. Les deux familles de produits répondent aux normes de qualité et aux exigences de performances les plus élevées. La gamme de joints, couvrant des tensions de 12 à 300 V MOSFET, peut répondre à une large gamme de besoins, des fréquences de commutation faibles à élevées telles que les SMPS, les applications alimentées par batterie, la commande de moteur et les entraînements, les inverseurs et l'informatique.

Très faible RDS(ON) à 4,5 V VGS