MOSFET Infineon canal N, PQFN 5 x 6 100 A 25 V, 4 broches

La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.

Faible RDSon (<1,15 mΩ)
Faible résistance thermique au circuit imprimé (<0,8 °C/W)
Testé à 100 % Rg
Bas profil (<0,9 mm)