MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement, 4 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 222-4745
- Référence fabricant:
- IRFH5250TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
- Code commande RS:
- 222-4745
- Référence fabricant:
- IRFH5250TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 25V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.15mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 52nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 3.6W | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6mm | |
| Largeur | 4.75mm | |
| Hauteur | 900μm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 25V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.15mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 52nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 3.6W | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6mm | ||
Largeur 4.75mm | ||
Hauteur 900μm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La conception Infineon de transistors MOSFET de puissance HEXFET ®, également appelés transistors MOSFET, est l'acronyme de "transistors à effet de champ à transistors à semiconducteur en oxyde métallique". Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un transistor MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain.
Faible RDSon (<1,15 mΩ)
Faible résistance thermique au circuit imprimé (<0,8 °C/W)
Testé à 100 % Rg
Bas profil (<0,9 mm)
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 100 A 25 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 25 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 100 A 60 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 10 A 100 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET et Diode canal N Infineon 100 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 30 A 80 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 44 A 150 V Enrichissement PQFN HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 82 A 30 V Enrichissement PQFN HEXFET