MOSFET canal N Infineon 100 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 130-0973
- Référence fabricant:
- IRFH5006TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 130-0973
- Référence fabricant:
- IRFH5006TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 69nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 156W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 6mm | |
| Largeur | 5mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 850μm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 69nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 156W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 6mm | ||
Largeur 5mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 850μm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N 60 à 80 V, Infineon
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