MOSFET canal N Infineon 7.60 A 30 V Enrichissement, PQFN HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9446
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 4000 unités)*
668,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 4000 + | 0,167 € | 668,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9446
- Référence fabricant:
- IRLHS6376TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 7.60A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 30V | |
| Type de Boitier | PQFN | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 63mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 2.8nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 4.9W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 7.60A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 30V | ||
Type de Boitier PQFN | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 63mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 2.8nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 4.9W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 30 V, courant de drain continu maximal de 7,60 A - IRLHS6376TRPBF
Ce MOSFET est un transistor à canal N à mode d'amélioration conçu pour la commutation et la gestion de l'alimentation dans les systèmes électroniques. Il fonctionne dans une large plage de températures comprise entre -55 °C et 150 °C et est conforme aux exigences RoHS, ce qui le rend adapté aux applications où des normes de matériaux réglementées sont requises. Le dispositif est fourni dans un boîtier PQFN destiné au montage traversant.
Caractéristiques et avantages :
• Le RDS(on) de 63 mΩ minimise les pertes de conduction pour un meilleur rendement
• Le VDS 30 V permet des applications de commutation d'alimentation basse tension
• Le courant de drain continu de 7.60 A permet une transmission de charge soutenue
• La charge de grille typique de 2,8 nC permet des performances de commutation à grande vitesse
• La dissipation de puissance de 4,9 W gère la charge thermique dans les limites
• Le VDS 30 V permet des applications de commutation d'alimentation basse tension
• Le courant de drain continu de 7.60 A permet une transmission de charge soutenue
• La charge de grille typique de 2,8 nC permet des performances de commutation à grande vitesse
• La dissipation de puissance de 4,9 W gère la charge thermique dans les limites
Applications
• Convient aux circuits d'entraînement de moteur basse tension
• Idéal pour les niveaux de commutation secondaires de l'alimentation
• Utilisé pour les tâches de gestion de batterie et de conversion c.c.-c.c.
• Peut être utilisé pour les télécommunications et la commutation de commande industrielle
• Adapté aux modules d'alimentation grand public à gestion thermique
• Idéal pour les niveaux de commutation secondaires de l'alimentation
• Utilisé pour les tâches de gestion de batterie et de conversion c.c.-c.c.
• Peut être utilisé pour les télécommunications et la commutation de commande industrielle
• Adapté aux modules d'alimentation grand public à gestion thermique
Quelle tension de grille peut-elle être appliquée sans dommage?
La tension nominale maximale de la porte à la source est de 12 V.
Comment la tolérance thermique affecte-t-elle le déploiement?
Le dispositif fonctionne de -55 °C à 150 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant une grande variation de température.
Quelles sont les caractéristiques de commutation typiques pertinentes pour la conception de l'entraînement de grille?
La charge de grille totale typique est de 2,8 nC dans des conditions d'entraînement de grille nominales.
Quel boîtier et quelle méthode de montage sont fournis pour l'intégration des circuits imprimés?
Il est fourni dans un boîtier PQFN configuré pour un montage traversant.
Ce dispositif est-il destiné à une utilisation dans les spécifications automobiles?
Il n'est pas désigné comme conforme aux normes automobiles.
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