MOSFET canal N onsemi 123 A 80 V Enrichissement, 5 broches, DFN NTMFS6H818N

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Code commande RS:
178-4316
Référence fabricant:
NTMFS6H818NT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

123A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Série

NTMFS6H818N

Type de Boitier

DFN

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

3.7mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Dissipation de puissance maximum Pd

3.8W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

46nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5.1mm

Largeur

6.1mm

Hauteur

1.05mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques.

Caractéristiques

Encombrement réduit (5 x 6 mm)

Faible RDS(on)

Faible QG et capacité

Avantages

Conception compacte

Réduit les pertes de conduction

Minimise les pertes de commande

Applications

Alimentation de puissance de commutation

Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts

en H, etc.)

Systèmes de 48 V

Gestion et protection de batterie

Produits finis

Contrôle du moteur

Convertisseur c.c./c.c.

Commutateur de charge

Blocs-batterie et ESS

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