MOSFET canal N onsemi 203 A 80 V Enrichissement, 5 broches, DFN NTMFS6H800N
- Code commande RS:
- 172-8974
- Référence fabricant:
- NTMFS6H800NT1G
- Marque:
- onsemi
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 172-8974
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- NTMFS6H800NT1G
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 203A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | DFN | |
| Série | NTMFS6H800N | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 5 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 85nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 800mV | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 6.1mm | |
| Hauteur | 1.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 5.1mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 203A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier DFN | ||
Série NTMFS6H800N | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 5 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 85nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 800mV | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 6.1mm | ||
Hauteur 1.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 5.1mm | ||
Standard automobile Non | ||
On Semiconductor
On Semiconductor DFN5 est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 2,1 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 203A et d'une dissipation de puissance maximale de 200 W. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 6 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
• Conception compacte
Sans plomb (Pb)
Faible QG et capacité
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
Faible RDS (activé) pour minimiser les pertes de conduction
• Minimiser les pertes de conduction
• Minimiser les pertes de conducteur
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Encombrement réduit (5 x 6 mm)
Applications
Systèmes 48 V.
• Convertisseur c.c./c.c.
Commutateur de charge
• Commande de moteur
• Commutateurs d'alimentation (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
• Alimentations de commutation
Redresseur synchrone
Certifications
ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007
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