MOSFET onsemi canal N, DFN 203 A 80 V, 5 broches

On Semiconductor DFN5 est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 80 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 2,1 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Il est doté d'un courant de drain continu de 203A et d'une dissipation de puissance maximale de 200 W. La tension d'entraînement minimum et maximum pour ce transistor est de 6 V et 10 V respectivement. Le transistor MOSFET a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

• Conception compacte
Sans plomb (Pb)
Faible QG et capacité
Faible QG et capacité pour minimiser les pertes de driver
Faible RDS (activé) pour minimiser les pertes de conduction
• Minimiser les pertes de conduction
• Minimiser les pertes de conducteur
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Encombrement réduit (5 x 6 mm)

Systèmes 48 V.
• Convertisseur c.c./c.c.
Commutateur de charge
• Commande de moteur
• Commutateurs d'alimentation (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)
• Alimentations de commutation
Redresseur synchrone

ANSI/ESD S20.20:2014
BS EN 61340-5-1:2007