MOSFET canal N onsemi 203 A 80 V Enrichissement, 5 broches, DFN NVMFS6H800N AEC-Q101

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4 226,40 €

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Code commande RS:
178-4435
Référence fabricant:
NVMFS6H800NT1G
Marque:
onsemi
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Marque

onsemi

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

203A

Tension Drain Source maximum Vds

80V

Type de Boitier

DFN

Série

NVMFS6H800N

Type de montage

En surface

Nombre de broches

5

Résistance Drain Source maximum Rds

2.1mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.2V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

85nC

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

5.1mm

Largeur

6.1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

1.05mm

Standard automobile

AEC-Q101

Pays d'origine :
MY
Transistor MOSFET de puissance pour les applications automobiles dans un boîtier à câble plat 5 x 6 mm conçu pour les conceptions compactes et efficaces et offrant d'excellentes performances thermiques. Option de flanc mouillable disponible pour l'inspection visuelle améliorée. Adapté pour les applications automobiles.

Caractéristiques

Encombrement réduit (5 x 6 mm)

Faible RDS(on)

Faible QG et capacité

NVMFS6H800NWF − Option de flanc mouillable

Compatible PPAP

Avantages

Conception compacte

Réduit les pertes de conduction

Minimise les pertes de commande

Inspection visuelle

améliorée

Applications

Alimentation de puissance de commutation

Commutateurs de puissance (driver haute puissance, driver basse puissance, ponts en H, etc.)

Systèmes de 48 V

Produits finis

Contrôle du moteur

Commutateur de charge

Convertisseur c.c./c.c.

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