MOSFET P Vishay 16 A 12 V Enrichissement, 6 broches, Micro FOOT TrenchFET

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Code commande RS:
180-7326
Référence fabricant:
SI8483DB-T2-E1
Marque:
Vishay
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Marque

Vishay

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

16A

Tension Drain Source maximum Vds

12V

Type de Boitier

Micro FOOT

Série

TrenchFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

6

Résistance Drain Source maximum Rds

26mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

21nC

Dissipation de puissance maximum Pd

13W

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

10V

Tension directe Vf

-1.2V

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

1mm

Normes/homologations

No

Hauteur

0.59mm

Longueur

1.5mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N double TrenchFET série Si8483DB de Vishay Siliconix possède une tension de drain à source de 12 V. Il s'agit d'une dissipation de puissance maximale de 13 W et principalement utilisée dans les commutateurs de charge dans les appareils portables.

Faible chute de tension

Faible consommation électrique

Plus grande autonomie de la batterie

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