MOSFET P Vishay 16 A 12 V Enrichissement, 6 broches, Micro FOOT TrenchFET
- Code commande RS:
- 180-7326
- Référence fabricant:
- SI8483DB-T2-E1
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
- Code commande RS:
- 180-7326
- Référence fabricant:
- SI8483DB-T2-E1
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 16A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 12V | |
| Type de Boitier | Micro FOOT | |
| Série | TrenchFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 6 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 26mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 13W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 21nC | |
| Tension directe Vf | -1.2V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Hauteur | 590μm | |
| Longueur | 1.5mm | |
| Largeur | 1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 16A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 12V | ||
Type de Boitier Micro FOOT | ||
Série TrenchFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 6 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 26mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 13W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 21nC | ||
Tension directe Vf -1.2V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Hauteur 590μm | ||
Longueur 1.5mm | ||
Largeur 1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- CN
Le transistor MOSFET de puissance à canal N double TrenchFET série Si8483DB de Vishay Siliconix possède une tension de drain à source de 12 V. Il s'agit d'une dissipation de puissance maximale de 13 W et principalement utilisée dans les commutateurs de charge dans les appareils portables.
Faible chute de tension
Faible consommation électrique
Plus grande autonomie de la batterie
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Vishay 16 A 12 V Enrichissement Micro FOOT TrenchFET
- MOSFET P Vishay 4.3 A 20 V Enrichissement Micro FOOT Si8489EDB
- MOSFET canal N Vishay 2.5 A 20 V Enrichissement Micro FOOT TrenchFET
- MOSFETs simples P Vishay -6.3 A -30 V Mode d'amélioration Micro FOOT TrenchFET
- MOSFET canal N Vishay 3.5 A 8 V Enrichissement Micro FOOT SI8802DB
- MOSFET canal N Vishay 16 A 8 V Micro FOOT
- MOSFET canal N Vishay 2.1 A 20 V Micro FOOT SI8824EDB
- MOSFET de puissance TrenchFET P Vishay 1.7 A 60 V Enrichissement TO-236 TrenchFET AEC-Q101