MOSFET canal N Vishay 15 A 150 V, 3 broches, TO-252 Non
- Code commande RS:
- 180-7413
- Référence fabricant:
- SUD15N15-95-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7413
- Référence fabricant:
- SUD15N15-95-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 15A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.095Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 25nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 62W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Hauteur | 2.38mm | |
| Longueur | 6.22mm | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Largeur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 15A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.095Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 25nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 62W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Hauteur 2.38mm | ||
Longueur 6.22mm | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Largeur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 150 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 95 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 62 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Commutateurs d'adaptateur
• Commutateurs primaires c.c./c.c.
• Commutateurs de charge
• Gestion de l'alimentation
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