MOSFET canal N Vishay 25 A 150 V, TO-252AA Non

Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

14,58 €

HT

17,495 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 octobre 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
le paquet*
5 - 452,916 €14,58 €
50 - 1202,162 €10,81 €
125 - 2451,804 €9,02 €
250 - 4951,604 €8,02 €
500 +1,52 €7,60 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
Code commande RS:
180-8043
Référence fabricant:
SUD25N15-52-E3
Marque:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

25A

Tension Drain Source maximum Vds

150V

Type de Boitier

TO-252AA

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

0.052Ω

Tension directe Vf

1.5V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

136W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.73mm

Longueur

6.22mm

Hauteur

2.38mm

Normes/homologations

RoHS 2002/95/EC

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
TW

Transistor MOSFET de Vishay


Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 150 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 52 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 136W. Il peut être utilisé dans le commutateur latéral principal. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.

Caractéristiques et avantages


Composant sans plomb (Pb)

Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.

• PWM optimisé

Transistor MOSFET de puissance TrenchFET

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.