MOSFET canal Type P Vishay 90 A 60 V, JEDEC TO-220AB Non
- Code commande RS:
- 180-7422
- Référence fabricant:
- SUP90P06-09L-E3
- Marque:
- Vishay
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 180-7422
- Référence fabricant:
- SUP90P06-09L-E3
- Marque:
- Vishay
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | JEDEC TO-220AB | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.0093Ω | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 240nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 250W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 10.51mm | |
| Normes/homologations | RoHS 2002/95/EC | |
| Hauteur | 6.48mm | |
| Longueur | 14.02mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier JEDEC TO-220AB | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.0093Ω | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 240nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 250W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 10.51mm | ||
Normes/homologations RoHS 2002/95/EC | ||
Hauteur 6.48mm | ||
Longueur 14.02mm | ||
Standard automobile Non | ||
- Pays d'origine :
- TW
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-220-3 à canal P, qui est un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de Il est doté d'une résistance drain-source de 7,4 mohm à une tension de grille-source de 10 V. Sa puissance dissipée maximale est de 250 W. Il est doté d'une application dans le commutateur primaire c.c./c.c. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
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