MOSFET canal N Infineon -13 A -150 V, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-9412
Référence fabricant:
IRFR6215TRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

-13A

Tension Drain Source maximum Vds

-150V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

580mΩ

Dissipation de puissance maximum Pd

110W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

44nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRFR d'Infineon est un MOSFET IR à canal P simple de -150 V dans un boîtier D Pak. La famille de MOSFET IR utilise des procédés au silicium éprouvés qui offrent aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard pour faciliter la conception.

Structure de cellule planaire pour large SOA

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz

Boîtier à montage en surface standard

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